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  • 產(chǎn)品詳情
    • 產(chǎn)品名稱:OTSUKA大冢-分光器FE-5000S

    • 產(chǎn)品型號: FE-5000S
    • 產(chǎn)品廠商:OTSUKA大塚電子
    • 產(chǎn)品價(jià)格:0
    • 折扣價(jià)格:0
    • 產(chǎn)品文檔:
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    簡單介紹:
     FE-5000S OTSUKA大冢-分光器 除了能夠高精度的薄膜解析的分光中,通過實(shí)現(xiàn)測量角度的自動可變機(jī)構(gòu),也對應(yīng)于所有種類的薄膜。除以往的旋轉(zhuǎn)檢光子法之外,通過設(shè)置相位差版的自動脫穿機(jī)構(gòu),提高了測定精度。OTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000S
    詳情介紹:
    FE-5000S

       OTSUKA大冢-分光器

    除能夠進(jìn)行高精度薄膜解析的分光光導(dǎo)儀外,通過安裝測定角度的自動可變機(jī)構(gòu),也                                                 適用于所有種類的薄膜.。除傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)光子法外,還設(shè)置了相位差版的自動解吸機(jī)                                                   構(gòu),提高了測量精度.



    OTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000S

    特長。
    在紫外可見(250到800 nm)波長范圍內(nèi)進(jìn)行光導(dǎo)參數(shù)測量。
    納米計(jì)量器等級的多層薄膜的膜厚分析是可能的。
    能夠通過400ch以上的多通道分光法快速測定光導(dǎo)頻譜。
    反射角可變測量可實(shí)現(xiàn)更詳細(xì)的薄膜分析。
    通過光學(xué)常數(shù)的數(shù)據(jù)庫化以及**登錄功能的追加,提高操作性。
    通過層膜擬合解析的光學(xué)常數(shù)測定,可以進(jìn)行膜厚·膜質(zhì)管理。


    測量項(xiàng)目。
    光導(dǎo)參數(shù)(tanψ、cosΔ)測量。
    光學(xué)常數(shù)(n:折射率,k:衰退系數(shù))分析。
    膜厚的解析。

    用途。
    半導(dǎo)體晶圓。
    柵氧化薄膜。
    SiO2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al2O3、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN。
    光刻膠的光學(xué)常數(shù)(波長分散)。
    化合物半導(dǎo)體。
    AlxGa(1-x)As多層膜,非晶硅。
    FPD。
    取向膜。
    等離子體顯示器的ITO,MgO等。
    各種新素材。
    DLC(Diamond Like Carbon),超導(dǎo)用薄膜,磁頭薄膜。
    光學(xué)薄膜。
    TiO2、SiO2、多層膜、防反射膜、反射膜。
    光刻領(lǐng)域。
    g射線(436nm),h線(405nm),i線(365nm),KrF(248nm)等各波長的n,k評價(jià)



    仕 様
    型式 FE-5000S FE-5000
    測定サンプル 反射測定サンプル
    サンプルサイズ 100x100mm 200x200mm
    測定方式 回転検光子法*1
    測定膜厚範(fàn)囲(nd) 0.1nm~
    入射(反射)角度範(fàn)囲 45~90° 45~90°
    入射(反射)角度駆動方式 自動サインバー駆動方式
    入射スポット徑*2 約φ2.0 約φ1.2sup*3
    tanψ測定正確さ ±0.01以下
    cosΔ測定正確さ ±0.01以下
    膜厚の繰り返し再現(xiàn)性 0.01%以下*4
    測定波長範(fàn)囲*5 300~800nm 250~800nm
    分光検出器 ポリクロメータ(PDA、CCD)
    測定用光源 高安定キセノンランプ*6
    ステージ駆動方式 手動 手動/自動
    ローダ対応 不可
    寸法、重量 650(W)×400(D)×560(H)mm
    約50kg
    1300(W)×900(D)×1750(H)mm
    約350kg*7
    ソフトウェア
    解析 *小二乗薄膜解析(屈折率モデル関數(shù)、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など)
    理論式解析(バルク表面nk解析、角度依存同時(shí)解析)

    *1 偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板著脫可能です。
    *2 短軸?角度により異なります。
    *3 微小スポット対応(オプション)
    *4 VLSIスタンダードSiO2膜(100nm)を用いた場合の値です。
    *5 この波長範(fàn)囲內(nèi)で選択可能です。
    *6 測定波長により光源が異なります。
    *7 自動ステージ選択時(shí)の値です。



    原 理

    試料にs波とp波を含む直線偏光を入射し、その反射光の楕円偏光を測定します。s波とp波は位相と振幅が獨(dú)立に変化して、試料に依存した2種類の偏光の変換パラメータであるp波とs波の反射率の比tanψおよび位相差Δが得られます。

    分光エリプソメータ原理
     

    tanψ、consΔはエリプソパラメータと呼ばれており、分光エリプソメトリーではこの2つのパラメータの波長依存スペクトルが測定されます。

    FE-5000光學(xué)系図


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